慶應義塾大学物理2013年第2問
- 問1 以下の文中で、1と3については選択肢から6については図1の(b)~(e)から選びそれぞれ記号で答えよ。2、4、5については適当な語句を入れよ。
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1と3の選択肢:
- (a) 4Be
- (b) 5B
- (c) 6C
- (d) 14Si
- (e) 15P
- (f) 16S
真性半導体のシリコンに不純物として元素1を微量混ぜると2をキャリアとするn型半導体、元素3を微量混ぜると4をキャリアとするp型半導体をそれぞれ作ることができる。これらを使用するとダイオードを作ることができ、一方向にしか電流を流さない5作用を得る。図1(a)のダイオードの記号に対応する半導体の接合の組み合わせとして、正しいのは、図1の(b)~(e)のうち、6である。
- 問2 図2に示す回路を組んだとき、BD間の抵抗RをR1、R2、R3を使って表せ。ただし、使用するダイオードは順方向に電圧がかかっている際には抵抗ゼロであるが、逆方向の場合には電流が全く流れないものとする。
- 問3 図3に示す回路のBとDの間に図4(a)のような波形の電圧を入力したところ、A~Dのうちある2つの端子間の電圧波形は、図4(b)、図4(c)のようになった。どの2つの端子を選んだ場合、それぞれの出力波形を得られるか、(a)~(l)の記号ですべて答えよ。答えは1つとは限らない。「AとB」と記述しているものは、Aが+側、Bが−側とする。
- (a) AとB
- (b) AとC
- (c) AとD
- (d) BとC
- (e) BとD
- (f) CとD
- (g) BとA
- (h) CとA
- (i) DとA
- (j) CとB
- (k) DとB
- (l) DとC



